石墨靶材在高等裝飾鍍膜中也有著廣泛的應(yīng)用。石墨靶C、硅靶Si、鉭靶Ta、鋅靶Zn、鎂勒 Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鎳靶Ni、銀靶Ag、不銹鋼靶材等……多元合金靶材;鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr鎳鋁靶Ni-A1、鎳釩靶Ni-V 鎳鐵靶Ni-Fe、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……半導體芯片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一，是對靶材的成分、籌備和性能要求高的領(lǐng)域。 半導體芯片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一，是對靶材的成分、籌備和性能要求高的領(lǐng)域。具體來講，半導體芯片的制作過程可分為硅片制造、晶圓制造和芯片封裝等三大環(huán)節(jié)，其中，在晶圓制造和芯片封裝這兩個環(huán)節(jié)中都需要用到金屬濺射靶材。靶材是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。靶材是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。 靶材主要應(yīng)用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導體等領(lǐng)域。貨品的深加工技術(shù)朝高純化、精細化、率的方向發(fā)展。由于鉭的表面能形成致密穩(wěn)定、介電強度高的無定形氧化膜，易于準確方便地控制電容器的陽極氧化工藝，面積，高低溫特性好、使用壽命長、綜合性能不錯、其他電容器難以與之媲美，國外對高純金屬材料的開發(fā)研究較早，英國和俄羅斯等國家意志以來都十分重視高純金屬材料的研制、生產(chǎn)和應(yīng)用。其生產(chǎn)的高純金屬材料品種齊全、質(zhì)量好、產(chǎn)量大，產(chǎn)品純度高可達6N以上。貨品因其優(yōu)良的理化性能和高可靠性，成為保證半導體器件性能和發(fā)展半導體技術(shù)必不可少及不可替代的材料。此外，玫瑰金靶材、1N14靶材、2N18靶材等金銅合金靶材。