主營:濺射靶材,鍍膜靶材,金屬靶材,旋轉靶材,平面靶材
所在地:
廣東 廣州
產(chǎn)品價格:
電議(大量采購價格電議)
最小起訂:
1
物流運費:
賣家承擔運費
發(fā)布時間:
2024-07-14
有效期至:
2025-09-19
產(chǎn)品詳細
例如磷化銦(InP)和氮化鎵(GaN)。芯片制造商一直在使用化學氣相沉積(CVD)來制造晶圓廠的邏輯器件和存儲器件。在CVD設備中,氣態(tài)前體化學物質流入裝載了硅晶圓的工藝腔體。這些氣態(tài)前體在晶圓表面發(fā)生反應,形成所需的薄膜,同時副產(chǎn)物將從腔體中抽走。將晶圓裝載到MOCVD系統(tǒng)中,然后將純凈氣體輸入反應器中。以不同ITO靶材生產(chǎn)企的靶材為對比試樣,通過將各試樣粉碎、過篩和王水腐蝕的方法分離并提取出各靶材的腐蝕產(chǎn)物,對腐蝕產(chǎn)物的剩余量、顯微形貌、物相組成、失氧率等進行了觀察和,并進行分析和對比。主要分為兩類材料。其中一類是基于GaN。噴涂靶材。HIT電池主要使用ITO靶材作為其透明導電薄膜。HIT電池是在晶體硅上沉積非晶硅薄膜 超高溫特種功能材料加大在MoCVD及相關半導體設備、光伏太陽能等領域的技術營銷,鎢鉬深加工組件等產(chǎn)品也不斷加快進口替代進程。在靶材及超高溫特種功能材料領域,尤其是寬幅鉬靶材、高世代線ITO靶材作為新的增長點市場份額大幅提升,總體保持了快速發(fā)展。 MOCVD系統(tǒng)主要用于芯片表面的薄膜單晶層沉積,也常用于器件的三五族化合物半導體材料沉積,例如磷化銦(InP)和氮化鎵(GaN)。芯片制造商一直在使用化學氣相沉積(CVD)來制造晶圓廠的邏輯器件和存儲器件。在CVD設備中,氣態(tài)前體化學物質流入裝載了硅晶圓的工藝腔體。這些氣態(tài)前體在晶圓表面發(fā)生反應,形成所需的薄膜,同時副產(chǎn)物將從腔體中抽走。將晶圓裝載到MOCVD系統(tǒng)中。
廣州市尤特新材料有限公司
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