作為一個(gè)龐大且復(fù)雜的行業(yè)，芯片行業(yè)擁有一條超長(zhǎng)的產(chǎn)業(yè)鏈。其整體可分為設(shè)計(jì)、制造、封裝、四大環(huán)節(jié)。除了在設(shè)計(jì)領(lǐng)域，其他三個(gè)環(huán)節(jié)，尤其是在制造環(huán)節(jié)，國(guó)內(nèi)廠商的能力仍有較大的提升空間。高純貨品靶材被譽(yù)為半導(dǎo)體芯片材料的強(qiáng)者，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)濺射靶材和濺射薄膜的品質(zhì)要求非常高，隨著更大尺寸的硅晶圓片制造出來(lái)，相應(yīng)地要求濺射靶材也朝著大尺寸、高純度的方向發(fā)展，同時(shí)也對(duì)濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。高純貨品靶材在電子信息產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用廣泛，因貨品有良好的化學(xué)穩(wěn)定性，高電導(dǎo)率、熱導(dǎo)率，以及特有的電學(xué)、磁學(xué)、光學(xué)等性能。MOCVD系統(tǒng)主要用于芯片表面的薄膜單晶層沉積，也常用于器件的三五族化合物半導(dǎo)體材料沉積。       在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是很苛刻的。硅片制造商對(duì)靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細(xì)晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。靶材另一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域是平面顯示器（FPD)這些年來(lái)大幅沖擊以陰極射線(xiàn)管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機(jī)市場(chǎng)，亦將帶動(dòng)ITO靶材的技術(shù)與市場(chǎng)需求。如今的ITO靶材有兩種．一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦和氧化錫粉混合后燒結(jié)，一種是采用銦錫合金靶材。濺射靶材在儲(chǔ)存技術(shù)方面，高密度、大容量硬盤(pán)的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多層復(fù)合膜是如今應(yīng)用廣泛的巨磁阻薄膜結(jié)構(gòu)。磁光盤(pán)需要的TbFeCo合金靶材還在進(jìn)一步發(fā)展。用它制造的磁光盤(pán)具有存儲(chǔ)容量大。壽命長(zhǎng)，可反復(fù)無(wú)接觸擦寫(xiě)的特點(diǎn)。