UVTM的硅靶材作為應(yīng)用于手機(jī)玻璃蓋板的重要靶材產(chǎn)品，已獲得多家手機(jī)玻璃蓋板生產(chǎn)客戶的認(rèn)可，并已實(shí)現(xiàn)批量供貨。色彩一直是時尚設(shè)計(jì)的熱點(diǎn)，而手機(jī)配色也是F設(shè)計(jì)師們設(shè)計(jì)的重點(diǎn)之一。5G時候手機(jī)后蓋去金屬化，然而不管是玻璃、陶瓷、塑膠材質(zhì)的手機(jī)外觀結(jié)構(gòu)件，F(xiàn)設(shè)計(jì)師們都會考慮酷炫紋理、金屬質(zhì)感、亮銀色、陶瓷光澤、漸變色等效果，而這些良好的裝飾效果都離不開PVD真空鍍膜。金屬中框也需要和后蓋保持同樣炫麗的外觀，iPhoneXS金色及太空灰色系列不銹鋼中框就是采用的PVD色彩工藝。我們?yōu)榭蛻籼峁└鞣N稀有金屬靶材，多種材料合金靶材，陶瓷靶材，粉末和顆粒靶材，主要有鉻、鈦、不銹鋼、硅、鉬、錫、石墨、ITO、鎳鉻、鈦鋁、鉻銅邦定等靶材。       low-e玻璃具有可以阻止空氣由熱向冷傳遞的特性,其指標(biāo)有：輻射率、可見光透射比、遮陽系數(shù)、傳熱系數(shù)、耐磨性、耐酸堿性目前有兩種主要生產(chǎn)方法：在線高溫?zé)峤獬练e法和離線真空磁控濺射法，其產(chǎn)品分別叫在線low-e玻璃和離線low-e玻璃。在AZO薄膜的制備方法中，磁控濺射技術(shù)具有成膜致密和成本低等優(yōu)點(diǎn)。要獲得高性能的AZO薄膜，直流磁控濺射一般要求基片加熱到200~500℃，提高了實(shí)際應(yīng)用中的成本，縮小了AZO薄膜的應(yīng)用范圍。術(shù)可以在低溫下制備高性能的AZO薄膜，但是沉積速率太低，無法滿足實(shí)際生產(chǎn)的需求。將直流射頻耦合，濺射則具有兩者的優(yōu)點(diǎn)，一方面有較高的沉積速率，另一方面由于射頻的加入，具有較高的等離子體密度。       半導(dǎo)體硅用于制作半導(dǎo)體器件。總體來講，硅主要用來制作高純半導(dǎo)體、耐高溫材料、光導(dǎo)纖維通信材料、農(nóng)業(yè)生產(chǎn)體系硅化合物、合金等，被廣泛應(yīng)用于航空航天、電子電氣、建筑、運(yùn)輸、能源、化工、紡織、食品、輕工、、農(nóng)業(yè)等行業(yè)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對濺射靶材和濺射薄膜的品質(zhì)要求非常高，隨著更大尺寸的硅晶圓片制造出來，相應(yīng)地要求濺射靶材也朝著大尺寸、高純度的方向發(fā)展，同時也對濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。硅的原子結(jié)構(gòu)決定了硅原子具有一定的導(dǎo)電性，但由于硅晶體中沒有明顯的自由電子，因此導(dǎo)電率不及金屬，且隨溫度升高而增加，因而具有半導(dǎo)體性質(zhì)。國際上通常把商品硅分成金屬硅和半導(dǎo)體硅，金屬硅主要用來制作多晶硅、單晶硅、硅鋁合金及硅鋼合金的化合物。       HIT電池主要使用ITO靶材作為其透明導(dǎo)電薄膜。HIT電池是在晶體硅上沉積非晶硅薄膜，其結(jié)構(gòu)是以N型單晶硅片作襯底，正反面依次沉積本征非晶硅薄膜、摻雜非晶硅薄膜、金屬氧化物導(dǎo)電層TCO，再通過絲網(wǎng)印刷制作正負(fù)電極，從而導(dǎo)出電流。比較成熟，成本占比不高，大約5%左右。HIT 薄膜電池帶動光伏靶材需求。目前國內(nèi)光伏電池主要以硅片涂覆型太陽能電池為主，薄膜電池以及HIT占比較低，但是未來增長潛力較大。2018年大部分國家薄膜電池量保持11%增長，預(yù)計(jì)未來維持10%以上；HIT有望保持高速增長，隨著國內(nèi)投資熱情高漲，產(chǎn)能有望從目前2GW增長至2024年的100GW以上。綜合測算，預(yù)計(jì)我國太陽能電池用靶材市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。CAGR保持在15%以上，到2024年，我國太陽能電池用靶材行業(yè)市場規(guī)模有望打破70億元。       MINILED及MicLED是近年來顯示領(lǐng)域發(fā)展的新型顯示技術(shù)，廣泛應(yīng)用于VR、平板、電競筆電、顯示器等領(lǐng)域。尤特新材料項(xiàng)目投資總額為2億元。一般情況下，磁控濺射沉積ITO薄膜時的濺射電壓在-400V左右，如果使用一定的工藝方法將濺射電壓降到-200V以下，那么所沉積的ITO薄膜電阻率將降低50%以上。產(chǎn)品質(zhì)量。同時也降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。將ITO玻璃進(jìn)行加工處理、經(jīng)過鍍膜形成電極,其中兩種在直流磁控濺射制備ITO薄膜時，降低薄膜濺射電壓的有效途徑磁場強(qiáng)度對濺射電壓的影響當(dāng)磁場強(qiáng)度為300G時，濺射電壓約為-350v；但當(dāng)磁場強(qiáng)度升高到1000G時，濺射電壓下降至-250v左右。一般情況下，磁場強(qiáng)度越高、濺射電壓越低。       非常高純鋁濺射靶基材為非常高純鋁靶材的金屬原材料。電子濺射靶材可以分為半導(dǎo)體靶材、鍍膜玻璃靶材、太陽能光伏靶材、裝飾鍍靶材等。材質(zhì)：Si、Al規(guī)格：可以按照用戶需要定制。汽車玻璃)工業(yè)等行業(yè)。在半導(dǎo)體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導(dǎo)體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中，各種顯示技術(shù)（如LCD、PDP、OLED及FED等）的同步發(fā)展，有的已經(jīng)用于電腦及計(jì)算機(jī)的顯示器制造；在信息存儲產(chǎn)業(yè)中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來越高的要求。需求數(shù)量也逐年增加。國內(nèi)靶材顯示市場預(yù)測國內(nèi)靶材磁記錄市場預(yù)測年中國靶材行業(yè)發(fā)展研究分析與市場前景預(yù)測報(bào)告對我國靶材行業(yè)現(xiàn)狀、發(fā)展變化、競爭格局等情況進(jìn)行深入的調(diào)研分析。       FFC法制備鈦硅合金采用FFC法直接用TiO2和SiO2為原料熔鹽電解直接制備鈦硅合金，主要包括陰極制備和電解兩個部分。陰極制備流程包括如下步驟：均勻混合TiO2、SiO2粉末；添加1％(質(zhì)量比)的聚乙烯醇作為粘結(jié)劑；20MPa壓力下壓成形；1200℃下燒結(jié)4h；燒結(jié)后的片體和鉬絲、鎳硅絲組裝成復(fù)合陰極。適宜的電解條件為：以燒結(jié)的TiO2-SiO2片體為陰極,石墨坩堝為陽極,電解溫度900℃、電解電壓3.0V。其原料的處理較繁瑣。目前還沒有見到電硅熱還原鈦****一步合成制備鈦硅合金。鈦合金的種類及各鈦合金中的化學(xué)成分，其硅含量較低，鈦含量較高，硅的含量低于0.6％，鈦硅合金Ti-6Al-0.6Cr-0.4Fe-0.4Si-0.01B，其Al含量50～6.5％，Gr含量0.4～0.9％，F(xiàn)e 0.25～0.60％，Si含量0.25～0.60％，B含量0.01％，其它元素含量0.40，余量為Ti，合金的密度較高。目前這種鈦硅合金材料，它的鈦硅合金鈦含量低，硅含量高，合金密度低，用于航空，航海等領(lǐng)域可節(jié)約能耗。