靶材****有望獲得重點(diǎn)支持。在半導(dǎo)體材料行業(yè)中，靶材行業(yè)屬于高等靶材仍在日美等國(guó)把控，但是國(guó)產(chǎn)替代已經(jīng)嶄露頭角，呈現(xiàn)定點(diǎn)打破局面，正是需要社會(huì)資金大力投入奮力追趕之關(guān)鍵時(shí)刻。按照半導(dǎo)體材料占比產(chǎn)業(yè)9%，靶材占比材料3%比例測(cè)算，靶材行業(yè)有望獲得超過(guò)30億元投資支持，直接利好****公司。隨著FPD靶材國(guó)產(chǎn)化的發(fā)展以及加速國(guó)產(chǎn)化靶材的成長(zhǎng)，免稅政策有必要取消，帶背板的濺射靶材組件的****普通稅率為17%。如果征收關(guān)稅，提高海外靶材供應(yīng)成本，將有利于國(guó)產(chǎn)化靶材的發(fā)展和滲透率提升。 國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)一直受制于人，每年大量從海外****，****金額居所有****商品中位，超過(guò)市場(chǎng)上熟知的貨品和鐵礦石等資源品。近年來(lái)。中興制裁與華為都給我們敲響警鐘，芯片等核心技術(shù)產(chǎn)業(yè)亟需發(fā)展，國(guó)產(chǎn)替代刻不容緩。作為半導(dǎo)體材料中的重要一環(huán)—濺射靶材同樣如此，國(guó)產(chǎn)化是必然之路。在競(jìng)爭(zhēng)格局上，由于濺射鍍膜工藝起源于國(guó)外，所需要的濺射靶材產(chǎn)品性能要求高，長(zhǎng)期以來(lái)大部分國(guó)家濺射靶材研制和生產(chǎn)主要集中在美國(guó)、日本少數(shù)幾家公司，產(chǎn)業(yè)集中度相當(dāng)高。以霍尼韋爾（美國(guó)）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）等為代表的濺射靶材生產(chǎn)商占據(jù)大部分國(guó)家絕大部分市場(chǎng)份額。 這些企業(yè)在掌握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術(shù)以后，實(shí)施極其嚴(yán)格的保密措施，限制技術(shù)擴(kuò)散，同時(shí)不斷進(jìn)行橫向擴(kuò)張和垂直整合，將業(yè)務(wù)觸角積極擴(kuò)展到濺射鍍膜的各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域，牢牢把握著大部分國(guó)家濺射靶材市場(chǎng)的主動(dòng)權(quán)，并帶領(lǐng)著大部分國(guó)家濺射靶材行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步。       盡管全世界各大廠生產(chǎn)的材料幾乎都能99.99%的純度，但卻唯有日本廠商的材料能將純度達(dá)到99.999%。半導(dǎo)體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料，化學(xué)品、電子氣體、P拋光材料、以及靶材等；芯片封裝材料包括封裝基板（39%）、引線框架、樹(shù)脂、鍵合絲、錫球、以及電鍍液等。磷化銦靶材(InP)，鉛靶材(PbAs)，銦靶材(InAs)。用準(zhǔn)確儀器設(shè)備在半導(dǎo)體芯片各個(gè)功能層上鍍覆一層薄薄的透明金屬導(dǎo)電膜，這層膜的厚度因功能需求而有不同，一般在30納米至200納米之間，不足頭發(fā)絲直徑五百分之一，以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體金屬的物理化學(xué)性能，業(yè)界將這種層稱為薄膜。制造鎢靶材的大致過(guò)程就是先按配比進(jìn)行用粉末混合，再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)成形。       靶坯屬于濺射靶材的核心部分，是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料。靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來(lái)并沉積于基板上制成電子薄膜。由于高純度金屬?gòu)?qiáng)度較低，因此濺射靶材需要在高電壓、高真空的機(jī)臺(tái)環(huán)境內(nèi)完成濺射過(guò)程。非常高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過(guò)不同的焊接工藝進(jìn)行接合，背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。鋁靶、銅靶用于導(dǎo)電層薄膜。在半導(dǎo)體芯片制造的金屬化工藝過(guò)程中，氧化鎢薄膜是一種被廣泛研究的功能材料。芯片行業(yè)擁有一條超長(zhǎng)的產(chǎn)業(yè)鏈。其整體可分為設(shè)計(jì)、制造、封裝、四大環(huán)節(jié)。除了在設(shè)計(jì)領(lǐng)域，華為海思擁有一定的打破能力，其他三個(gè)環(huán)節(jié)，尤其是在制造環(huán)節(jié)，國(guó)內(nèi)廠商的能力仍有較大的提升空間。       7-陽(yáng)極(真空室)；8-靶電源；對(duì)靶磁控濺射裝置，由靶兩側(cè)的磁鐵及電磁線圈產(chǎn)生的通向磁場(chǎng)構(gòu)成對(duì)靶磁控濺射陰極的磁路，兩塊靶材對(duì)向平行放置。業(yè)內(nèi)相關(guān)人士指出，結(jié)合薄片化技術(shù)可進(jìn)一步降低異質(zhì)結(jié)電池的硅用量，節(jié)省成本。UVTM靶材事業(yè)部在2007年成立，致力于生產(chǎn)高品質(zhì)的磁控濺射靶材，公司擁有粉末冶金、冶煉澆注、3D噴涂、冷等靜壓等多套靶材制備設(shè)備和工藝技術(shù)。主要生產(chǎn)銷(xiāo)售陶瓷靶材（ITO靶材、AZO靶材、氧化鈮靶材等）、金屬靶材（高純銀靶、鈮靶、銅靶等）和合金靶材（鎳鉻合合金靶、銀銅合金靶、銅鋅合金靶等），產(chǎn)品遠(yuǎn)銷(xiāo)20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)。濺射靶材具有高純度、高密度、多組元、晶粒均勻等特點(diǎn)，一般由靶坯和背板組成。       噴涂靶材。新型的濺鍍?cè)O(shè)備幾乎都使用力度強(qiáng)磁鐵將電子成螺旋狀運(yùn)動(dòng)以加速靶材周?chē)臍鍤怆x子化，造成靶與氬氣離子間的撞擊機(jī)率增加，提高濺鍍速率。一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍，而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍，基本的原理是在真空中利用輝光放電（glowdischarge）將氬氣（Ar）離子撞擊靶材（target）表面，電漿中的陽(yáng)離子會(huì)加速?zèng)_向作為被濺鍍材的負(fù)電極表面，這個(gè)沖擊將使靶材的物質(zhì)飛出而沉積在濮純金屬靶材。UVTM是國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，公司成立于二00三年，專業(yè)從事信息、鍍膜、太陽(yáng)能材料的科研與生產(chǎn)。公司從德國(guó)、日本、引進(jìn)先進(jìn)的生產(chǎn)、檢測(cè)設(shè)備和專業(yè)人才，是集科研、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、服務(wù)于一體的中外合資企業(yè)。