中國芯片究竟在哪個環(huán)節(jié)被美國“卡”了脖子？數(shù)據(jù)表明，2019年，我國芯片自給率僅為30%左右。根據(jù)有關(guān)部門的發(fā)展規(guī)劃，2025年，中國預(yù)計將芯片自給率提升到70%，這差不多是當(dāng)下美國等芯片大國的平均水平。作為一個龐大且復(fù)雜的行業(yè)，芯片行業(yè)擁有一條超長的產(chǎn)業(yè)鏈。在靶材領(lǐng)域，日本的日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯占據(jù)了大部分市場。相比之下，而且導(dǎo)致了對于日本半導(dǎo)體材料的高度依賴。其整體可分為設(shè)計、制造、封裝、測試四大環(huán)節(jié)。除了在設(shè)計領(lǐng)域，其他三個環(huán)節(jié)，尤其是在制造環(huán)節(jié)，國內(nèi)廠商的能力仍有較大的提升空間。由于半導(dǎo)體濺射靶材市場與晶圓產(chǎn)量存在直接關(guān)系，以中國大陸晶圓廠產(chǎn)能占大部分國家比例為15%計算。2018年中國半導(dǎo)體濺射靶材市場約1.2億美元。隨著晶圓廠產(chǎn)能向中國轉(zhuǎn)移，半導(dǎo)體用靶材市場將達到1.5億美元。同比增長25%。 鍍一面面精美的鏡子，那么就要買真空鍍鋁制鏡機；如果是做塑料行業(yè)的，例如做汽車燈罩行業(yè)的，那么就要選擇圓型立式真空鍍膜機。第二，要考慮設(shè)備的用電條件。舉個例子，客戶想買圓型立式的真空鍍膜機，就要根據(jù)需要的配置考慮電耗多大，建議用戶要用多大的變壓器。否則電力方面的問題解決不了，設(shè)備買回去也是不能用的。第三，場地問題。如果廠家是新開發(fā)這個項目的，肯定不清楚真空鍍膜設(shè)備的占地面積多大，這個時候就要根據(jù)廠家要求買多大規(guī)格的真空鍍膜機來考慮需要多大面積的地方安裝設(shè)備了。例如，如果想要放置一臺立式圓型真空鍍膜機，要考慮的除了單純1800鍍膜機單機的罷放需要8平方米的地方以外，還要考慮與之配套的焗箱和UV線等設(shè)施的占地面積。 真空鍍膜設(shè)備主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。需要鍍膜的被成為基片，鍍的材料被成為靶材。基片與靶材同在真空腔中。蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發(fā)出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點－島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長）形成薄膜。對于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，形成薄膜。真空鍍膜設(shè)備維修保養(yǎng)的技巧如何保養(yǎng)真空鍍膜設(shè)備？真空鍍膜設(shè)備維修保養(yǎng)又有什么技巧呢？ 真空鍍膜機的發(fā)展相當(dāng)迅速，隨著生產(chǎn)率的提高，生產(chǎn)費用大大降低，已經(jīng)為真空鍍膜產(chǎn)品的普遍使用鋪平了道路。以卷繞式真空鍍膜機為例，剛開發(fā)時可鍍的薄膜基材寬度是150mm，目前已達2253mm?；木硗驳木韽绞?000mm，卷繞速度750m/min。自動裝卸的半連續(xù)卷繞式真空鍍膜機鍍膜時間占整個周期的75%，輔助操作時間只占25%。隨著計測技術(shù)、控制技術(shù)的進步和電子計算機的應(yīng)用，卷繞式真空鍍膜機正向著高度自動化和高度可靠性的方向發(fā)展。真空鍍膜機真空鍍膜機能夠沉積的鍍膜層厚度范圍為0.01-0.2，可以在這個范圍內(nèi)選擇，有的還可以鍍多層膜，滿足多種需要。日本****提出沉積兩種不同鍍膜材料的卷繞式蒸鍍裝置。 ZnO(ZincOxide)是II-VI族具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的直接帶隙半導(dǎo)體材料,晶體類型為六角柱結(jié)構(gòu)。ZnO禁帶寬度為3.34eV,在氫等離子體中具有很高的穩(wěn)定性,而且Zn儲量豐富、無害,具有適宜的光電特性,是具競爭力的透明導(dǎo)電膜材料。ZnO粉末和Al_2O_3粉末為主要原料,以常壓、空氣氣氛燒結(jié)為手段制備透明導(dǎo)電膜用ZnO陶瓷靶材。研究結(jié)果表明:粉末成型壓力為3MP時,靶材電學(xué)性能佳;當(dāng)Al:Zn原子比為4.100時,ZnO的電阻率低,達4.1×10~(-3)Ω·㎝,當(dāng)Al摻雜量超過某一數(shù)值后,Al不再以替位離子形式存在,而是與周圍的Zn、O原子共同作用,生成鋅鋁尖晶石相,從而導(dǎo)致材料的電阻率升高。 采用超音速火焰(HVOF)和電弧噴涂技術(shù)制備金屬陶瓷/合金多層涂層。結(jié)果表明：涂層籌備為扁平層狀結(jié)構(gòu)，涂層與基體、涂層與涂層之間結(jié)合緊密，涂層的磨損質(zhì)量損失與載荷成正比;磨料的硬度較高時，涂層的磨損質(zhì)量損失較大，與單層涂層相比,多層涂層在較高載荷作用下具有較好的抗磨損性能。采用電弧噴涂技術(shù)制備金屬陶瓷復(fù)合涂層,將碳化硼(B4C)陶瓷粉末和其它合金元素與304L不銹鋼帶軋制成粉芯絲材，研究了B4C在電弧噴涂中的應(yīng)用。鈦及鈦合金由于具有熔點高、無磁性、熱膨脹系數(shù)低、比強度和比剛度高以及耐腐蝕性能好、耐生物侵蝕等許多不錯特性。采用固相法，把粉末先用添加劑混合，放入模具用冷等靜壓等壓制成坯體后，用氣氛爐在高溫度燒結(jié)成型成氮化物靶材燒結(jié)體。   高純金屬主要用于電子化工材料和特殊合金材料等領(lǐng)域，隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展，計算機等電子、電器制品市場的迅速擴展，高純金屬的市場需求量不斷增長。高純鈷是一種制備高純試劑及標(biāo)樣配置的基體材料，同時還可應(yīng)用于制備磁傳感材料，光感材料，磁記錄濺射靶材及離子鍍膜以及用于航空航天的高等合金等高技術(shù)領(lǐng)域。隨著高新技術(shù)的發(fā)展，高純金屬已作為高新技術(shù)的戰(zhàn)略物資，要求非常高的純度，高純、非常高純金屬的制備及應(yīng)用在現(xiàn)代材料科學(xué)和工程領(lǐng)域中屬于新型的不斷增長的領(lǐng)域。近年來,隨著經(jīng)濟建設(shè)的快速發(fā)展，原有色金屬鈷光譜標(biāo)準(zhǔn)樣品已不能較好的反映客戶對產(chǎn)品質(zhì)量檢測的要求，在國民經(jīng)濟中的地位和作用日益突出，受到了從未有過的高度重視，一方面，很難滿足日益增長的高純金屬市場的強烈需求，產(chǎn)品品質(zhì)差異大:另一方面，高純金屬企業(yè)之間競爭行為不規(guī)范，市場秩序較為混亂。高純鈷板可經(jīng)真空熔煉制成高純鈷錠,用 于制備磁記錄介質(zhì)、磁記錄磁頭、光電器件、磁傳感器和集成電路等元器件功能鍍膜用高純鈷靶材。