芯片設計是半導體上游的部分，設計工種又可粗略分為前端代碼設計、系統(tǒng)驗證與應用、后端布局布線和供應鏈。氧化錫銻(ATO)具有以下不錯的性能。導電性，均勻分散的導電納米超微粒子的相互作用形成導電膜，導電膜中電荷移動可實現(xiàn)高透射率和防靜電（30Ω.cm2），透明性，ATO納米超微粒子對可視光（380nm-780nm）的吸收率極弱，而且對可視光難以散射的大小粒子組成，所以有著高的透明性。隔紅外、隔紫外、防輻射性能，能有效地阻止紅外輻射和紫外線輻射，阻隔紅外效果達80%以上，阻隔紫外效果達65%以上。 靶材是高速荷能粒子轟擊的目標材料，故靶材也叫濺射靶材（純度：99.9%-99.999%），具有較高的技術壁壘。銀是目前使用廣泛的導電層薄膜材料之一。和超大規(guī)模集成電路芯片的制造對濺射靶材金屬純度的要求相比，太陽能電池用鋁靶的金屬純度略低，99.995%（4N5）以上。高純貨品靶材被譽為半導體芯片材料的強者，半導體產業(yè)對濺射靶材和濺射薄膜的品質要求非常高，隨著更大尺寸的硅晶圓片制造出來，相應地要求濺射靶材也朝著大尺寸、高純度的方向發(fā)展，同時也對濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。高純貨品靶材在電子信息產業(yè)中的應用廣泛，因貨品有良好的化學穩(wěn)定性，高電導率、熱導率，以及特有的電學、磁學、光學等性能。 UVTM有自身優(yōu)勢，多年在材料研發(fā)和應用上的積累，生產制造到成品靶材的全過程，擁有垂直產業(yè)鏈；在集成電路先進制程前道工藝所需要的新材料產品方面已經取得一定成績,G8.5代、G6代液晶面板的非常高純鋁濺射靶材也已開始給國內液晶面板的企業(yè)供貨。合為客戶提供“一站式”靶材解決方案。在沒有美國設備的情況下，理論上建立一條半導體生產線是可行的，但日本、歐洲乃至中國國內的設備在許多領域。靶材用于非常高清(UHD)TFT-LCD面板我們獨有的產品組合為客戶提供“一站式”靶材解決方案。產品組合包含及其廣泛的材料選擇，可以根據(jù)客戶要求提供單一元素或多種組分的濺射靶材。包括特殊陶瓷、金屬基復合材料(MMC)以及陶瓷基復合材料(C)。主要產品有各種磁控濺射鍍膜靶材，半導體化合物，高純金屬及貨品靶材中間合金，多元陶瓷材料及靶材。 真空鍍膜機是目前制作真空條件應用較為廣泛的真空設備，一般用真空室、真空機組、電氣控制柜三大部分組成，排氣系統(tǒng)采用“擴散泵 機械泵＋羅茨泵＋低溫冷阱＋polycold;組成。專業(yè)從事真空鍍膜設備的研發(fā)與生產擁有經驗豐富的技術團隊及優(yōu)質的服務隊伍為您解決設備在使用過程中遇到的任何問題。真空主體;真空腔根據(jù)加工產品要求的各異，真空腔的大小也不一樣，目前應用較多的有直徑1.3M、0.9M、1.5M、1.8M等，腔體由不銹鋼材料制作，要求不生銹、堅實等，真空腔各部分有連接閥，用來連接各抽氣泵浦。抽氣系統(tǒng)：排氣系統(tǒng)為鍍膜機真空系統(tǒng)的重要部分，主要有由機械泵、增壓泵（主要介紹羅茨泵）、油擴散泵三大部分組成。 ITO靶材的生產工藝可以分為3種：熱等靜壓法(HIP)、濺射靶材熱壓法(HP)和氣氛燒結法。ITO靶材的熱等靜壓制作過程是將粉末或預先成形的胚體，在800℃～1400℃及1000kgf/cm2～2000kgf/cm2的壓力下等方加壓燒結。熱等靜壓工藝制造產品密度高、物理機械性能好，但設備投入高，生產成本高，產品的缺氧率高。ITO靶材的熱壓制作過程是在石墨或氧化鋁制的模具內充填入適當粉末以后，以100kgf/cm2～1000kgf/cm2的壓力單軸向加壓，同時以1000℃～1600℃進行燒結。熱壓工藝制作過程所需的成型壓力較小，燒結溫度較低，燒結較短。但熱壓法生產的ITO靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均勻。 大尺寸高純靶材市場被日韓企業(yè)占據(jù)。高純?yōu)R射靶材上游的高純金屬市場主要被日韓企業(yè)壟斷，目前高純?yōu)R射靶材的主要供應商為日本三井、東曹、日立、三星、康寧，國內企業(yè)在大尺寸高純靶材的生產能力與外資相比仍有差距。ITO、IWO靶材已逐步實現(xiàn)國產化，國產化有望將電池的靶材成本降低57%。目前國內先導、映日等企業(yè)ITO靶材已較為成熟，先導通過收購優(yōu)美科國際公司，其靶材生產的純度、密度大幅提升，長度可達4000毫米，目前SCOT靶材正在研發(fā)，IWO壹納光電已實現(xiàn)國產。以IWO靶材為例，在同樣是4-4.5g/cm的密度下，***靶材價格為3200元/kg，對應電池靶材成本0.6-0.7元/片，國產靶材價格約2000元/kg，對應電池靶材成本0.2-0.3元/片，采用國產靶材電池單片成本可降低57%。