中國(guó)濺射靶材行業(yè)市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示：靶材在半導(dǎo)體材料中占比約為2.5-3%。由于半導(dǎo)體濺射靶材市場(chǎng)與晶圓產(chǎn)量存在直接關(guān)系，以中國(guó)大陸晶圓廠產(chǎn)能占大部分國(guó)家比例為15%計(jì)算，2019年中國(guó)半導(dǎo)體濺射靶材市場(chǎng)約1.7億美元。隨著晶圓廠產(chǎn)能向中國(guó)轉(zhuǎn)移，半導(dǎo)體用靶材市場(chǎng)將達(dá)到1.5億美元。同比增長(zhǎng)25%。靶材，特別是高純度濺射靶材應(yīng)用于電子元器件制造的物理-氣相沉積工藝（PVD）、太陽(yáng)能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。所謂濺射，是制備薄膜材料的主要技術(shù)，也是PVD的一種。它通過在PVD設(shè)備中用離子對(duì)目標(biāo)物進(jìn)行轟擊，使得靶材中的金屬原子以一定能量逸出，從而在晶圓表面沉積，濺鍍形成金屬薄膜，其中被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。   氮化物是在電子和光電子應(yīng)用方面有較大潛力的新型半導(dǎo)體材料,它在室溫下具有高電子遷移率和良好導(dǎo)電性的優(yōu)勢(shì)。是目前大部分國(guó)家半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。它具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力。氮化物靶材的鍍層顏色，根據(jù)不同的氮化物，可以獲得不同顏色，其中，氮化鈦（TiN）金顏色涂層，良好的硬度和潤(rùn)滑性，附著性好，適用于加工大部分材料。TiCN，藍(lán)灰色涂層，硬度越HV3000，耐熱400℃。TiN TiCN，深顏色涂層，良好的硬度和潤(rùn)滑性，適用于加工大部分材料。   光伏領(lǐng)域?qū)Π胁牡氖褂弥饕潜∧る姵睾虷IT光伏電池。太陽(yáng)能電池主要包括晶硅電池和薄膜電池，靶材主要應(yīng)用于薄膜太陽(yáng)能電池的背電極環(huán)節(jié)以及HIT（異質(zhì)結(jié)）電池的導(dǎo)體層。晶體硅太陽(yáng)能電池按照生產(chǎn)工藝不同可分為硅片涂覆型太陽(yáng)能電池以及PVD工藝高率硅片太陽(yáng)能電池，其中硅片涂覆型太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)不使用濺射靶材，目前靶材主要用于太陽(yáng)能薄膜電池領(lǐng)域，而HIT作為PERC（鈍化發(fā)射極及背局域接觸電池）未來的替代技術(shù)，有望實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，從而帶動(dòng)靶材需求。光伏薄膜電池用靶材主要為方形板狀，純度要求一般在99.99%（4N）以上，僅次于半導(dǎo)體用靶材。目前制備薄膜電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等。其中鋁靶、銅靶用于導(dǎo)電層薄膜，鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜，ITO靶、AZO靶用于透明導(dǎo)電層薄膜。   陶瓷靶材分為化合物陶瓷靶材和氧化物靶材，產(chǎn)品包含氧化物、氟化物、氮化物、碳化物、硼化物、硫化物、硅化物、硒化物、碲化物、磷化物以及各類混合摻雜物，純度99.5%-99.999%，適合磁控濺射鍍、熱蒸鍍、電子束蒸鍍，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各類半導(dǎo)體行業(yè)、太陽(yáng)能光伏光熱行業(yè)、建筑、裝飾、汽車、平面顯示、LCD、LED、集成電路，元器件、磁記錄、裝飾、工具鍍膜、航空航天、****、科研等領(lǐng)域。不同的氮化物，可以獲得不同的鍍層顏色。其中，TiAlN是藍(lán)灰色涂層，硬度越HV3300，耐熱900℃?？捎糜诟咚偌庸?；GrN是銀灰色涂層，良好的潤(rùn)滑性能，主要用于有色金屬加工。   所謂濺射，是制備薄膜材料的主要技術(shù)，也是PVD的一種。它通過在PVD設(shè)備中用離子對(duì)目標(biāo)物進(jìn)行轟擊，使得靶材中的金屬原子以一定能量逸出，從而在晶圓表面沉積，濺鍍形成金屬薄膜，其中被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料。金屬靶材:鎳靶、N、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、kg、鈮靶、№b、錫靶、Sn、鋁靶、A1、銦靶、I、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiΔl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶Sⅰ、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、e、銀靶、Ag、鉆靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、億靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、H、鉬靶、M、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。   磁控濺射原理：在被濺射的靶極（陰極）與陽(yáng)極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng)，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），較好磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場(chǎng)，同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)。在電場(chǎng)的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場(chǎng)的作用與工作氣體的電離幾率加大，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設(shè)備原理簡(jiǎn)單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時(shí)還可進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，如今，常用的有電子回旋共振(ECR）型微波等離子體濺射。