半導(dǎo)體晶圓制造中，200mm（8寸）及以下晶圓制造通常以鋁制程為主，使用的靶材以鋁、鈦元素為主。300mm（12寸）晶圓制造，多使用先進(jìn)的銅互連技術(shù)，主要使用銅、鉭靶材。同時(shí)也用鈦材料作為高介電常數(shù)的介質(zhì)金屬柵極技術(shù)的主要材料，鋁材料作為晶圓接合焊盤工藝的主要材料?？傮w來看，隨著芯片的使用范圍越來越廣泛，芯片市場(chǎng)需求數(shù)量增長(zhǎng)，對(duì)于鋁、鈦、鉭、銅這四種業(yè)界主流的薄膜金屬材料的需求也一定會(huì)有增長(zhǎng)。且目前從技術(shù)上及經(jīng)濟(jì)規(guī)模上還未找到能夠替代這四種薄膜金屬材料的其他方案，所以這四種材料目前看不到被替代的風(fēng)險(xiǎn)。在競(jìng)爭(zhēng)格局上，由于濺射鍍膜工藝起源于國外，所需要的濺射靶材產(chǎn)品性能要求高，長(zhǎng)期以來濺射靶材研制和生產(chǎn)主要集中在美國、日本少數(shù)幾家公司。產(chǎn)業(yè)集中度相當(dāng)高。   濺射靶材被廣泛應(yīng)用于航空航天、電子電氣、建筑、運(yùn)輸、能源、化工、紡織、食品、輕工、、農(nóng)業(yè)等行業(yè)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)濺射靶材和濺射薄膜的品質(zhì)要求非常高，隨著更大尺寸的硅晶圓片制造出來，相應(yīng)地要求濺射靶材也朝著大尺寸、高純度的方向發(fā)展，同時(shí)也對(duì)濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。硅的原子結(jié)構(gòu)決定了硅原子具有一定的導(dǎo)電性，但由于硅晶體中沒有明顯的自由電子，因此導(dǎo)電率不及金屬，且隨溫度升高而增加，因而具有半導(dǎo)體性質(zhì)。國際上通常把商品硅分成金屬硅和半導(dǎo)體硅，金屬硅主要用來制作多晶硅、單晶硅、硅鋁合金及硅鋼合金的化合物。鋁靶、銅靶用于導(dǎo)電層薄膜。在半導(dǎo)體芯片制造的金屬化工藝過程中，氧化鎢薄膜是一種被廣泛研究的功能材料。