靶材中毒是由于在濺射過程中帶有正電的離子聚集在靶表面。然后并沒有得到中和，便出現(xiàn)靶表面負偏壓逐步下降。這所謂的靶中毒現(xiàn)象。對于影響靶材中毒的因素是什么呢？1.影響靶中毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例，反應氣體過量就會導致靶中毒。反應濺射工藝進行過程中靶表面濺射溝道區(qū)域內出現(xiàn)被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。采用中頻電源或射頻電源打一個到兩個小時，可以恢復。3.將靶材拆出來，用砂紙拋光，也可解決?？刂棋兡つＪ降淖儞Q：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應曲線，使進氣流量控制在產生靶中毒的前，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。防止靶材中毒，首先要保證真空室不漏。清理內部，除去揮發(fā)成分等。 目前國內氧化物薄膜材料的制備方法和技術有很多，其中主要的方法有脈沖激光沉積、磁控濺射、電子束蒸發(fā)、分子束外延等物理方法，以及化學氣相沉積、溶膠-凝膠、噴霧熱解等化學方法。在這些制備技術中，磁控濺射鍍膜技術具有易于大面積鍍膜、工業(yè)化生產以及薄膜品質、成分、結構、均勻性等易于調控的優(yōu)勢，是產業(yè)化制備氧化物薄膜材料的重要方法之一，以該方法制備的氧化物薄膜材料在液晶面板、觸摸屏、薄膜太陽能電池、發(fā)光二極管等產業(yè)上獲得了廣泛應用。