預真空室具有雙層基片承載盤升降機，使得裝卸基片和濺射工藝同時進行，從而實現(xiàn) “in-line”連續(xù)在線工作方式。由上至下濺射方式，12”x12”尺寸的基片承載盤，可放置不同尺寸及形狀的基片?；休d盤單次/多次掃描沉積方式，準確地控制沉積膜的厚度，不需要膜厚檢測器，避免了因膜厚檢測器的測量誤差以及傳感器的消耗，節(jié)省了運行成本。生產量：9個4” 基片/次，6個6” 基片/次，1個12” 基片/次。 3靶位/4靶位結構的工藝室，射頻/直流開關切換網絡，可實現(xiàn)射頻磁控濺射、直流磁控濺射、射頻二極管濺射和反應濺射。長方形平板式磁控陰極, 尺寸可為5”x15” 、5”x17” 和 3”x17”特殊設計的各種嵌入式磁控陰極，實現(xiàn)高膜厚均勻性和高靶材有效使用率；特別是貴重金屬（鉑，金）的沉積，可達到60%的靶材有效使用率。基片預加熱功能和預清洗功能，以及可移動擋板，從而實現(xiàn)高質量的沉積膜。CTI 冷凝泵組，確保工藝室真空，以得到高質量的沉積膜。行星承載盤，使得基片具有自傳和公轉的功能，以提高濺射膜厚均勻性