該設(shè)備主要通過(guò)磁控濺射的方式實(shí)現(xiàn)ITO薄膜的濺射，子創(chuàng)公司在該設(shè)備的設(shè)計(jì)中充分考慮到觸摸屏用ITO導(dǎo)電膜對(duì)本底真空、清潔度、電導(dǎo)率、膜層均勻性等關(guān)鍵指標(biāo)的要求，運(yùn)用了多項(xiàng)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的關(guān)鍵技術(shù)，核心部件采用國(guó)際，提高設(shè)備的綜合性能和性價(jià)比。 特點(diǎn)：1.真空室體材料采用 SUS304 ，內(nèi)壁進(jìn)行拋光處理，外壁拋光后噴珠。2.獨(dú)立門(mén)閥—插板閥隔開(kāi)，隔離性好，工藝穩(wěn)定。3.磁導(dǎo)向傳動(dòng)，穩(wěn)定性好。4.變頻調(diào)速電機(jī)驅(qū)動(dòng)，準(zhǔn)確控制傳動(dòng)速度。5.PLC總線控制，人機(jī)界面友好，操作極為簡(jiǎn)便 技術(shù)參數(shù)：本底真空：6.0E-6mbar平均生產(chǎn)周期：根據(jù)產(chǎn)品確定基片架尺寸：根據(jù)要求定做膜層均勻性：±3%