大平面濺射陰極 特點(diǎn)： 1、 采用獨(dú)特的磁路設(shè)計(jì)，突破傳統(tǒng)模式，更符合磁控濺射的理念。 2、 采用獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可以?xún)?nèi)置、外置，更符合使用要求。 3、磁鐵不被冷卻水包圍，減少腐蝕，且保證磁力線的有效曲線分布。 4、獨(dú)特的布?xì)夥绞?，更加保膜層濺射的均勻性，其等離子狀態(tài)更加平衡。 5、 更高的濺射率，離子密度更強(qiáng)。 6、 更高的利用率，高達(dá)40%以上。 7、 尺寸范圍：可在300-3000mm區(qū)間，保持一致的均勻性 8、使用范圍：如TI、AL、NI、CR、AZO、ITO等 應(yīng)用領(lǐng)域： 半導(dǎo)體、MEMS、TFT、ITO、low-e玻璃、硬質(zhì)涂層、裝飾性膜層