芯片制造對(duì)濺射靶材金屬純度的要求較高，通常要達(dá)到99.9995%以上，而平板顯示器、太陽(yáng)能電池分別要求達(dá)到99.999%、99.995%以上即可。除了純度之外，芯片對(duì)濺射靶材內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等也設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，需要掌握生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)，并經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期實(shí)踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品。半導(dǎo)體制造流程當(dāng)中，濺射靶材無(wú)疑是重中之重的原材料，其質(zhì)量和純度對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的后續(xù)生產(chǎn)質(zhì)量起著關(guān)鍵性作用。非常高純度金屬及濺射靶材是電子材料的重要組成部分，濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用等環(huán)節(jié)。其中，靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節(jié)是整個(gè)濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。中國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)的相對(duì)落后導(dǎo)致了高純度濺射靶材產(chǎn)業(yè)起步較晚。 競(jìng)爭(zhēng)格局：海外企業(yè)主要，國(guó)內(nèi)迎頭趕上。當(dāng)前該領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)格局以攀時(shí)、世泰科、賀利氏、愛(ài)發(fā)科、住友化學(xué)、JX金屬等為代表的國(guó)外少數(shù)幾家跨國(guó)集團(tuán)占據(jù)主要地位，其中攀時(shí)、世泰科等廠商是大部分國(guó)家鉬靶材的主要供應(yīng)商，住友化學(xué)、愛(ài)發(fā)科等廠商占據(jù)了大部分國(guó)家鋁靶材的大部分市場(chǎng)，三井礦業(yè)、JX金屬、優(yōu)美科等廠商是大部分國(guó)家ITO靶材的主要供應(yīng)商，愛(ài)發(fā)科、JX金屬等廠商是大部分國(guó)家銅靶材的主要供應(yīng)商。鋁靶:目前國(guó)內(nèi)液晶顯示行業(yè)用鋁靶材主要是日資企業(yè)主要。外企方面:愛(ài)發(fā)科電子材料大約占據(jù)國(guó)內(nèi)50%左右的市場(chǎng)份額。愛(ài)發(fā)科電子材料幾乎壟斷著國(guó)內(nèi)銅靶材市場(chǎng)，市場(chǎng)占有率在80%以上。鉬靶:具體分為條靶、寬靶和管靶3種。其中，4.5代、5.5代和6代線一般使用寬幅鉬靶。而8.5代及以上世代線用使用組合條靶或管靶。 半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)規(guī)模估算：濺射靶材在半導(dǎo)體材料中占比約為3%。半導(dǎo)體材料主要包括晶圓制造材料和封裝材料，濺射靶材在晶圓制造材料和封裝材料的占比均在3%左右，根據(jù)SEMI的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2015年半導(dǎo)體材料總銷(xiāo)售額達(dá)435億美元，其中晶圓制造材料占56%，估算得到大部分國(guó)家半導(dǎo)體靶材用量約為12-13億美元。靶材市場(chǎng)規(guī)模估算：2015年大部分國(guó)家平板顯示產(chǎn)值達(dá)到1480億美元，我們根據(jù)等****公司成本占比估算平板顯示上游材料約占面板產(chǎn)值60%，平板顯示材料總體市場(chǎng)規(guī)模約在900億美元左右，其中靶材占比在3%-4%，因此大部分國(guó)家面板靶材市場(chǎng)規(guī)模約為27-36億美元。 日韓貿(mào)易戰(zhàn)中，日本列入限制出口名單的高純度材料，其主要用途為半導(dǎo)體的濕式刻蝕。典型的單晶硅片加工工藝流程為：晶棒裁切-切段-切方-滾磨-拋光-切割-清洗-檢驗(yàn)-包裝。靶材公司擁有完整的硅材料檢測(cè)手段，在居里點(diǎn)，如果把鐵磁材料加熱到其居里溫度之上，鐵磁材料轉(zhuǎn)變?yōu)轫槾挪牧?，其磁屏蔽效?yīng)將消失，材料將得到解決。這種方法的缺點(diǎn)是需要一個(gè)加熱裝置來(lái)維持鐵磁靶材溫度在其居里點(diǎn)之上，并要對(duì)鐵磁靶的溫度實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。另外，在400℃~1100℃，如果把靶材加熱至該溫區(qū)可能導(dǎo)致無(wú)法在基片上成膜，或損壞其他真空部件。150℃~200℃將產(chǎn)生退磁現(xiàn)象，而無(wú)法恢復(fù)原有磁性。采用對(duì)靶磁控濺射系統(tǒng)，磁性膜，且不必大幅度升高基片溫度。用來(lái)制備磁性Fe、Ni及其磁性合金膜。