在市場需求和政策鼓勵下，國內半導體市場保持著平穩(wěn)較快發(fā)展，國內半導體材料產(chǎn)業(yè)、靶材產(chǎn)業(yè)規(guī)模也日益擴大，其增速高于大部分國家增速，在大部分國家市場中所占份額逐漸提升。得益于中國大陸晶圓廠建設的迅猛勢頭，中國已經(jīng)成為大部分國家具潛力的半導體材料新興市場。2016 年國內半導體用濺射靶材市場規(guī)模打破 14 億元，大部分國家半導體用濺射行業(yè)高層度研究靶材市場規(guī)模打破 12 億美元。我們預測，未來 5 年， 國內高純?yōu)R射靶材市場規(guī)模年復合增長率可達到 13%，總規(guī)模超過 25 億元。 為了打破技術和產(chǎn)能瓶頸，有效利用銦資源，近年中國企業(yè)加快了ITO靶材技術研發(fā)和引進。上馬了多個高等ITO靶材國產(chǎn)化項目。然而，國內濺射靶材主要應用于中低端產(chǎn)品商，而高等靶材產(chǎn)品則從日韓***。本土靶材廠商約占國內市場30%的份額。通過改變靶材的濺鍍面形狀及厚度，來調整靶材與基材之間的磁場，使電壓平穩(wěn)，從而使靶材的預濺鍍縮短，提高了靶材的使用率，薄膜質量提高。解決現(xiàn)有的離子濺射鍍膜機存在的有效鍍膜面積小、膜厚均勻性不容易控制和鍍膜表面質量差的技術問題，提供一種鍍膜面積大、膜厚均勻性易控制和鍍膜表面質量高的離子濺射鍍膜機。       半導體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料，制造材料包括硅片（37%）、光刻膠、光刻膠配套試劑、濕電子化學品、電子氣體、P拋光材料、以及靶材等；（39%）、引線框架、樹脂、鍵合絲、錫球、以及電鍍液等。在國內占據(jù)了大部分中等和要求不高的靶材市場份額。國內靶材公司的發(fā)展趨勢如何？目前大部分國家高等靶材市場主要分布于韓國、、中國、日本，主要供應商在日本，韓國。中國市場目前年消耗ITO靶材約300噸，但處于快速增長之中日本企業(yè)在硅晶圓、合成半導體晶圓、光罩、光刻膠、靶材料、保護涂膜、引線架、陶瓷板、塑料板、TAB（捲帶式自動接合）、COF（薄膜復晶）、焊線、封裝材料等14種重要材料方面均占有50%以上的份額。       國內高純金屬產(chǎn)業(yè)在靶材上游率先取得打破。 2004 年以前，我國 99 %以上的高純鋁只能從美國和日本***。近年來隨著技術的發(fā)展，我國也出現(xiàn)了一些高純鋁生產(chǎn)企業(yè)，有新疆眾和、包頭鋁業(yè)、霍煤鴻駿、山西關鋁、宜都東陽光鋁、中鋁貴州、神火鋁業(yè)等，與美、日企業(yè)的差距正在縮小。 2016 年我國國內高純鋁產(chǎn)量達 11.8 萬噸，生產(chǎn)的高純鋁甚至部分返銷國外。性價比。     帶動上游靶材需求增長。據(jù)預測，會保持增長態(tài)勢。其中又以日本日礦和三井為主，其兩家?guī)缀跽紦?jù)了高等TFT-LCD市場用ITO靶材的全部份額和大部分的觸摸屏面板市場。根據(jù)應用領域的不同，靶材的材料、形狀也會有所差異。根據(jù)形狀可分為長(正)方體形、圓柱體形、無規(guī)則形以及實心、空心靶材。柱形磁控測射靶的優(yōu)點是結構緊湊，形靶高。面板靶材：主要用于制作ITO玻璃及觸控屏電極平板。顯示行業(yè)主要在顯示面板和觸控屏面板兩個產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)節(jié)需要使用靶材濺射鍍膜。用于高清電視、筆記本電腦等。技術要求也很高，它要求材料高純度、面積大、均勻性程度高。鋁、銅、鉬、鉻等，主要應用于薄膜太陽能電池，太陽能靶材技術要求高、應用范圍大。磁控。       low-e玻璃在玻璃界的影響非常巨大，行業(yè)內甚至流傳“21世紀是low-e玻璃的世界”的說法。它具有良好的采光性，同時沒有“光污染”，由于其具備良好的隔熱和防紫外線功能，是真實意義上的綠色、節(jié)能、環(huán)保玻璃建材。low-e玻璃是鍍膜玻璃的一種，其表面是有電介質和金屬為主構成的金屬膜層。low-e玻璃本質是玻璃表面附著一層透明的金屬膜層，對可見光具有良好的透光性，對紅外線和紫外線具有很高的反射性。low-e玻璃具有兩個顯著特點：（1）極低的表面輻射率；（2）非常高的遠紅外（熱輻射）反射率。從技術原理上講，即可阻擋玻璃吸熱升溫后以輻射形式從膜面向外散熱，也可直接反射遠紅外熱輻射。low-e玻璃的以上兩個特性與中空玻璃對熱的對流傳導的阻隔作用相配合，便構成了U值極低的Low-E中空玻璃。它可阻隔熱能從熱的一端向冷的一端傳遞。即冬季阻擋室內的熱量瀉向室外，夏季阻擋室外熱輻射進入室內。        氧化物陶瓷靶材屬于陶瓷產(chǎn)品，由于對純度、密度、尺寸、形狀，以及成分、結構、均勻性等都有特殊要求，其制備南都較高。氧化物陶瓷靶材作為重要的關鍵基礎材料，多年來一直被靶材研究人員關注。與德國、日本等世界靶材強國相比，我國陶瓷靶材研究相對落后，但是近年來，隨著大部分國家光電產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國內大型靶材公司加大投入，取得了很大的成果。       實行科學嚴格的制度、生產(chǎn)工藝和操作規(guī)程，從產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)到銷售、服務各個環(huán)節(jié)都嚴格確保符合質量體系的要求。其中靶材就是做芯片的重要材料。知名的就是外芯片——英偉達，直屬于行業(yè)老大。但是隨著中的實力日漸強度，我們的華為已經(jīng)自主的研發(fā)生產(chǎn)出與之抗衡的電子芯片。完全打破了直采用外技術的這現(xiàn)象。像超大規(guī)模集成電路芯片制造域是靶材高的應用，其對靶材金屬純度的要求高通常要求達到99.9995%(5N5)以上。為了有效地降低磁控濺射的電壓，以達到降低ITO薄膜電阻率的目的，可以采用一套特殊的濺射陰極結構和濺射直流電源，射頻電源合理地匹配疊裝在一套6KW的直流電源上，在不同的直流濺射功率和射頻功率下進行降低ITO薄膜濺射電壓的工藝研究。濮。       光碟的膜層也是多層組成的，它在染料層上鍍上30nm厚的鐵鈷合金記錄層，里面混有非晶態(tài)稀土過渡元素，再鍍上20到100nm厚的氮化硅介質層，后鍍上鋁膜反射層。這些需要落得磁性能。能夠記錄數(shù)據(jù)的電子產(chǎn)品，要實現(xiàn)這些功能，還是要靠各種不同物質所濺射而成的薄膜，靠其成膜后顯示出來的晶體狀態(tài)排序來實現(xiàn)。這些需要落得磁性能，能夠記錄數(shù)據(jù)的電子產(chǎn)品，要實現(xiàn)這些功能，還是要靠各種不同物質所濺射而成的薄膜，來的晶體狀態(tài)排序來實現(xiàn)。一般會由金膜或銀膜替代。隨著半導體技術的迅猛發(fā)展，集成化程度越來越高，單位面積單晶硅片集成器件數(shù)呈指數(shù)級增長，英寸（450mm）或者更高，國內ITO導電膜產(chǎn)業(yè)，日本企業(yè)進入該產(chǎn)業(yè)領域較早。不僅具有上游原料優(yōu)勢，而且上下游供應鏈維持良好，業(yè)處于大部分國家的領導地位。多晶硅的產(chǎn)能在高層度集中，目前進入了競爭深水區(qū)。由于多晶硅的價格較低。每年我國還從國外***多晶硅10萬噸以上。