目前的兩種low-e玻璃生產(chǎn)方法 1、在線高溫熱解沉積法：在線高溫熱解沉積法"Low-E"玻璃在美國有多家公司的產(chǎn)品。如PPG公司的Surgate200，福特公司的SunglasH．R"P"。這些產(chǎn)品是在浮法玻璃冷卻工藝過程中完成的。液體金屬或金屬粉沫直接噴射到熱玻璃表面上，隨著玻璃的冷卻，金屬膜層成為玻璃的一部分。固此，該膜層堅硬耐用。這種方法生產(chǎn)的"Low-E"玻璃具有許多優(yōu)點：它可以熱彎，鋼化，不必在中空狀態(tài)下使用，可以長期儲存。它的缺點是熱學性能比較差。除非膜層非常厚，否則其"u"值只是濺射法"Low-E"鍍膜玻璃的一半。如果想通過增加膜厚來改善其熱學性能，那么其透明性就非常差。 2、離線真空濺射法離線法：生產(chǎn)low-e玻璃，是目前國際上普遍采用真空磁控濺射鍍膜技術。 用濺射法可以生產(chǎn)"Low-E"玻璃的廠家及產(chǎn)品有北美的英特佩公司的"LnplusNetetralR"，PPG公司的Sungatel00，福特公司的SunglasHRS等。和高溫熱解沉積法不同，濺射法是離線的。且據(jù)玻璃傳輸位置的不同有水平及垂直之分。濺射法工藝生產(chǎn)"Low-E"玻璃，需一層純銀薄膜作為功能膜。純銀膜在二層金屬氧化物膜之間。金屬氧化物膜對純銀膜提供保護，且作為膜層之間的中間層增加顏色的純度及光透射度。垂直式生產(chǎn)工藝中，玻璃垂直放置在架子上，送入10-1帕數(shù)量級的真空環(huán)境中，通入適量的工藝氣體（惰性氣體Ar或反應氣體O2、N2），并保持真空度穩(wěn)定。將靶材Ag、Si等嵌入陰極，并在與陰極垂直的水平方向置入磁場從而構(gòu)成磁控靶。以磁控靶為陰極，加上直流或交流電源，在高電壓的作用下，工藝氣體發(fā)生電離，形成等離子體。其中，電子在電場和磁場的共同作用下，進行高速螺旋運動，碰撞氣體分子，產(chǎn)生更多的正離子和電子；正離子在電場的作用下，達到一定的能量后撞擊陰極靶材，被濺射出的靶材沉積在玻璃基片上形成薄膜。為了形成均勻一致的膜層，陰極靶靠近玻璃表面來回移動。為了取得多層膜，必須使用多個陰極，每一個陰極均是在玻璃表面來回移動，形成一定的膜厚。水平法在很大程度上是和垂直法相似的。主要區(qū)別在玻璃的放置，玻璃由水平排列的輪子傳輸，通過陰極，玻璃通過一系列銷定閥門之后，真空度也隨之變化。當玻璃到達主要濺射室時，鍍膜壓力達到，金屬陰極靶固定，玻璃移動。在玻璃通過陰極過程中，膜層形成。目前，國產(chǎn)和絕大部分進口磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線的目標產(chǎn)品均是以鍍制單質(zhì)膜和金屬膜為主的陽光控制膜玻璃。這類產(chǎn)品工藝相對簡單，對設備的要求較低。因此，這些生產(chǎn)線不能滿足鍍制low-e玻璃的要求。濺射法生產(chǎn)"Low－E"玻璃，具有如下特點：由于有多種金屬靶材選擇，及多種金屬靶材組合，因此，濺射法生產(chǎn)"Low-E"玻璃可有多種配置。在顏色及純度方面，濺射鍍也優(yōu)于熱噴鍍，而且，由于是離線法，在新產(chǎn)品開發(fā)方面也較靈活。較主要的優(yōu)點還在于濺射生產(chǎn)的"Low-E"中空玻璃其"u"值優(yōu)于熱解法產(chǎn)品的"u"值，但是它的缺點是氧化銀膜層非常脆弱，所以它不可能象普通玻璃一樣使用。它必須要做成中空玻璃，且在未做成中空產(chǎn)品以前，也不適宜長途運輸。