金凱馳高純度超精密納米金剛石拋光液 金凱馳納米金剛石拋光液是采用前蘇聯技術生產的高科技拋光產品,主要用于半導體、激光和非線性晶體、高溫超導體底板等產品的超精密拋光。 純度99%以上，顆粒直徑4-6納米的球形納米金剛石可提高拋光效率，有效保證拋光質量。 主要成分及指標 水基拋光液：92%的蒸餾水   8%的納米金剛石    ph  2-12 油基拋光液：90%的油        10%的納米金剛石    ph  2-12 質量保證      1、完美配方 較佳的配方是獲得均一性、再現性的關鍵； 我公司采用獨特的專有技術對超細、納米粉體材料進行分散，解決制造過程中的二次團聚，并匹配多種助劑，獲得浸潤、上光、潤滑、冷卻、均勻等多種性能，制造出符合高品質要求的金剛石研磨液。      2、粒度分布 顆粒直徑4-6納米切分布均勻的產品粒度分布是獲得優(yōu)良性能的決定因素；     3、粒子分散 較佳粒子分散狀態(tài)是取得良好加工效果的關鍵；    4、表面純度 高清潔的粒子表面有利于提高其分散和結合性能，降低腐蝕； 三、表面拋光性能   金凱馳納米金剛石拋光液的獨特性能使拋光達到鏡面水平。             *純度級別 – 0-1納米 *表面潔凈度：接近于“0”級 *表面不光滑處高度 k, = 2-10 nm (0,2 — 2,5 nm) *拋光速度：提高3-8倍 *拋光鏡面無劃痕、斜面、小坑、裂紋、蝕刻及其它缺陷     四、拋光速度 linоз（硝酸鋰）                          1..5 微米/分鐘, вi4ge3o12, （鍺酸鉍）                      0,8-1,2微米/分鐘,    v2o3（三氧化二釩）, ktiopo4（磷酸鈦氧鉀）  0,3-0,8 微米/分鐘,    五、拋光產品 半導體     si（硅）, ge（鍺）     gap（磷化鎵）, gaas（砷化鎵）, gasb（銻化鎵）inp（磷化銦）, inas（砷化銦）, insb（銻化銦） 膜:             zno（氧化鋅）, zns（硫化鋅）, znse（硒化鋅）, znte（碲化鋅）cds（硫化鎘）, cdse（硒化鎘）, cdte（碲化鎘）;     cdsse（硒硫化鎘）, zncds（硫化鋅鎘）, zncdse（硒化鋅鎘）      pbs（硫化鉛）, pbse（硒化鉛）, pbte（碲化鉛）   *  pbsnte（碲硒鉛）, pbsete（碲硒鉛）, pbsse（硒硫鉛）      znp（磷化鋅）, znas（砷化鋅）, znsb（銻化鋅）, cdas（砷化鎘）, cdsb（銻化鎘）      cu（銅），s（硫）,se（硒）,te（碲），ag（銀），     sic（碳化硅）等    2. 高溫超導體底板       srtio3（鈦酸鍶）, zro2（（二氧化鋯） , v2o3（三氧化二釩） , laal03（鋁酸鑭）, ndgao3（鎵酸釹）, mgo（氧化鎂） .    3. 含氧材料及其它      gd3ga5o12(ggg)（釹釓鎵）, fe5o12（高鐵酸鐵），      bi2o3（氧化鉍），      bi4si3012（硅酸鉍）, bi4ge3o12（鍺酸鉍） ，      sio2 (石英)（水晶）， a-al2o3（藍寶石）,      linb03（鈮酸鋰）, lita03，（鉭酸鋰）caf2(氟化鈣),baf2(氟化鋇)ktiop04(ktp)(磷酸鈦氧鉀)      adp（二磷酸腺苷）, kdp（磷酸二氫鉀）, dkdp，（磷酸二氘鉀） 玻璃等。