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離線Low-E玻璃鍍膜質(zhì)量控制

2015-06-15 來源:藍實玻璃

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  Low-E玻璃又稱低輻射鍍膜玻璃,是在玻璃表面鍍上以銀為基礎的若干層金屬或其化合物薄膜,這些膜層具有對可見光高透過及對中遠紅外線高反射的特性,具有良好的節(jié)能效果和光學性能。真空磁控濺射法(PVD)也稱離線法,可以實現(xiàn)復雜膜系Low-E玻璃的大規(guī)模量產(chǎn),成為近年來Low-E玻璃的主流生產(chǎn)工藝。

  相比傳統(tǒng)的熱反射鍍膜玻璃,Low-E玻璃的鍍膜層數(shù)多也更薄,特別是近年來雙銀/三銀Low-E玻璃的推廣,有的產(chǎn)品需要沉積多達20多層不同材料的薄膜,這就對每層薄膜的質(zhì)量和均勻性提出了非??量痰囊?。如果不能很好的控制單層薄膜的質(zhì)量和均勻性,這么多層薄膜累加后的顏色、透光率等光學不均勻性就會非常明顯。因此對現(xiàn)有的PVD鍍膜工藝來說,提高鍍膜的質(zhì)量和均勻性是一個非常關(guān)鍵的課題。

  1工藝氣體布氣均勻性

  作為膜層均勻性控制的主要手段之一,工藝氣體布氣均勻性非常重要。我們采用如下二種方法確保工藝氣體沿玻璃板寬方向分布的均勻性:

  1)布氣管路分為主管和輔管,主管由3個質(zhì)量流量計分別控制Ar、O2、N2氣的供氣量,輔管根據(jù)陰較寬度分為3~7段,每段由一個質(zhì)量流量計單獨控制工藝氣體流量,見圖1。

 

中玻網(wǎng)新聞圖片

  2)主管和每段輔管均采用二元布氣方式(見圖2),確保每個噴嘴的流導一致。

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  2陰較磁場強度一致性

  根據(jù)磁控濺射的原理,磁場強度越大,其對電子的束縛能力越強,相應地,該處的氣體離化程度就越高,濺射速率也就越大。準確的調(diào)整陰較磁鐵的磁場強度在寬度方向的一致性,可以有效地控制濺射速率的橫向一致性,進而控制薄膜沿寬度方向的均勻性。

  陰較磁場強度的均勻性的控制手段包括以下2個:

  1)為確保磁場的強度一致性,需要對所用磁鐵的磁場強度進行挑選,盡量選擇磁場強度一致的磁鐵。陰較裝配完畢后,采用高斯計沿陰較橫向?qū)Υ艌鰪姸冗M行掃描測量,繪出磁場強度曲線,可采用調(diào)整磁鐵到靶材距離的方法微調(diào)該處磁場強度,確保磁場沿陰較橫向的一致性。

  2)陰較使用過程中應嚴格控制冷卻水溫,并及時更換靶材,防止永磁體過熱,因其過熱不僅會導致磁場強度衰減,也會造成磁場不均現(xiàn)象。

  3鍍膜室真空度、溫度、干燥度控制

  3.1恒定的真空度

  1)根據(jù)工藝氣體流量,對分子泵抽速、數(shù)量配置和安裝位置進行合理配置。

  2)完善可靠的腔室密封,所有的動密封如傳動站、翻版閥等處均采用磁流體密封,蓋板和腔室之間采用壓差密封,即對兩道密封圈之間的空間抽真空,從而提高大型密封面的密封效果。

  3)進出片過渡室內(nèi)部各布置2~3套阻流器,減少門閥開啟閉合對鍍膜室內(nèi)真空度的擾動。

  3.2溫度控制

  陰較及鍍膜室腔體通軟化水冷卻,并對進出水的溫度和流量進行監(jiān)控。

  3.3干燥度控制

  1)玻璃清洗完畢后應確保干燥充分。

  2)生產(chǎn)線旁應布置干燥壓縮空氣(CDA)儲氣罐,在空氣濕度大的時候,進出片室在充氣時可選擇接通CDA,以減少進入腔室內(nèi)的水蒸氣分子。

  3)在鍍膜室入口處設置低溫冷阱,用于捕獲進入腔室內(nèi)的水蒸氣分子。

  4靶材中毒及打弧現(xiàn)象的舒緩

  反應濺射產(chǎn)生的氧化物會在靶材刻蝕區(qū)附近再沉積,形成一層絕緣層,絕緣層上會積累正離子電荷而改變靶表面電勢,造成濺射速率下降,當靶表面電勢升高到一定程度時,會引發(fā)電弧放電,放電會破壞靶和膜層,這就是靶材“中毒”現(xiàn)象,如圖3所示。

 

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  目前,解決這個問題的常用方法是采用雙旋轉(zhuǎn)陰較和交流電源組合,(參見圖3),由于旋轉(zhuǎn)陰較的靶是旋轉(zhuǎn)的,靶材的刻蝕均勻的分布于整個靶筒的表面,可以避免反應濺射中由于再沉積而形成絕緣層。另外,中頻電源分別與兩個磁控管相接,使得兩個靶互為陰陽較,并隨著中頻電源的電勢和相位每半個周期變換一次,這樣,磁控管就可以捕獲電子,改變再沉積區(qū)域的表面電勢,進而起到舒緩電弧的作用。關(guān)于這一技術(shù)的詳細論述,請讀者參見文獻一。

  5不同靶位間反應氣體的隔離

  由于Low-E膜的膜系復雜,現(xiàn)代連續(xù)式鍍膜線通常布置有10~30個靶位,對于采用不同工藝氣體的濺射單元之間,應采取嚴格的氣體隔離措施,否則會使得各靶位間產(chǎn)生不必要的交叉污染,造成膜層質(zhì)量下降。以圖4所示為例進行說明:

 

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  如圖4所示,假定右一單元是Ag靶(平面靶),采用金屬模式濺射并生成Ag膜,左三單元為旋轉(zhuǎn)靶,加入O2進行反應濺射,生成氧化物膜。Ag在濺射時不能接觸O2,否則會產(chǎn)生AgO,影響膜層的光學性能和輻射率,并較終導致Low-E膜質(zhì)量下降。這種情況下,就需要對兩個靶位間的氣體進行嚴格的隔離,圖示中右二和右三單元設置為氣體隔離單元,布置有分子泵蓋板和氣體隔離組件,能夠有效阻止反應氣體O2從左三單元滲透到右一單元。而對于左二和左三的旋轉(zhuǎn)靶,用于采用同一種工藝氣體,則可以相鄰放置,不會影響膜層質(zhì)量。模塊化的鍍膜室結(jié)構(gòu)設計有助于上述功能的實現(xiàn),因鍍膜室各單元結(jié)構(gòu)和尺寸一致,可實現(xiàn)陰較和分子泵蓋板位置的完全互換,有利于用戶依據(jù)不同膜系要求對機組進行柔性配置。

  6結(jié)語

  影響Low-E鍍膜質(zhì)量和均勻性的因素很多,文章要點論述了通過提升鍍膜設備硬件配置來提高鍍膜質(zhì)量,其他還有諸如:玻璃原片質(zhì)量及新鮮度、玻璃清洗質(zhì)量、靶材質(zhì)量、鍍膜室清潔度、工藝操作水平等因素。因此,提高Low-E鍍膜質(zhì)量是一個系統(tǒng)工程,不僅需要高水平的設備硬件配置,也需加強對生產(chǎn)中各個環(huán)節(jié)的管理,同時還應強化工藝人員的操作水平,從硬件和軟件兩方面保證高水平的Low-E鍍膜質(zhì)量的實現(xiàn)。

 

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