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提高離線Low-E玻璃鍍膜質(zhì)量的方法

2015-03-12 來(lái)源:建筑玻璃與工業(yè)玻璃

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中玻網(wǎng)】Low-E玻璃又稱低輻射鍍膜玻璃,是在玻璃表面鍍上以銀為基礎(chǔ)的若干層金屬或其化合物薄膜,這些膜層具有對(duì)可見(jiàn)光高透過(guò)及對(duì)中遠(yuǎn)紅外線高反射的特性,具有良好的節(jié)能效果和光學(xué)性能。真空磁控濺射法(PVD)也稱離線法,可以實(shí)現(xiàn)復(fù)雜膜系Low-E玻璃的大規(guī)模量產(chǎn),成為近年來(lái)Low-E玻璃的主流生產(chǎn)工藝。
  
  相比傳統(tǒng)的熱反射鍍膜玻璃,Low-E玻璃的鍍膜層數(shù)多也更薄,特別是近年來(lái)雙銀/三銀Low-E玻璃的推廣,有的產(chǎn)品需要沉積多達(dá)20多層不同材料的薄膜,這就對(duì)每層薄膜的質(zhì)量和均勻性提出了非??量痰囊?。如果不能很好的控制單層薄膜的質(zhì)量和均勻性,這么多層薄膜累加后的顏色、透光率等光學(xué)不均勻性就會(huì)非常明顯。因此對(duì)現(xiàn)有的PVD鍍膜工藝來(lái)說(shuō),提高鍍膜的質(zhì)量和均勻性是一個(gè)非常關(guān)鍵的課題。
  
 ?。惫に嚉怏w布?xì)饩鶆蛐?br />  
  作為膜層均勻性控制的主要手段之一,工藝氣體布?xì)饩鶆蛐苑浅V匾?。我們采用如下二種方法確保工藝氣體沿玻璃板寬方向分布的均勻性:
  
 ?。保┎?xì)夤苈贩譃橹鞴芎洼o管,主管由3個(gè)質(zhì)量流量計(jì)分別控制Ar、O2、N2氣的供氣量,輔管根據(jù)陰較寬度分為3~7段,每段由一個(gè)質(zhì)量流量計(jì)單獨(dú)控制工藝氣體流量,見(jiàn)圖1。

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 ?。玻┲鞴芎兔慷屋o管均采用二元布?xì)夥绞剑ㄒ?jiàn)圖2),確保每個(gè)噴嘴的流導(dǎo)一致。

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  2陰較磁場(chǎng)強(qiáng)度一致性
  
  根據(jù)磁控濺射的原理,磁場(chǎng)強(qiáng)度越大,其對(duì)電子的束縛能力越強(qiáng),相應(yīng)地,該處的氣體離化程度就越高,濺射速率也就越大。準(zhǔn)確的調(diào)整陰較磁鐵的磁場(chǎng)強(qiáng)度在寬度方向的一致性,可以有效地控制濺射速率的橫向一致性,進(jìn)而控制薄膜沿寬度方向的均勻性。
  
  陰較磁場(chǎng)強(qiáng)度的均勻性的控制手段包括以下2個(gè):
  
  1)為確保磁場(chǎng)的強(qiáng)度一致性,需要對(duì)所用磁鐵的磁場(chǎng)強(qiáng)度進(jìn)行挑選,盡量選擇磁場(chǎng)強(qiáng)度一致的磁鐵。陰較裝配完畢后,采用高斯計(jì)沿陰較橫向?qū)Υ艌?chǎng)強(qiáng)度進(jìn)行掃描測(cè)量,繪出磁場(chǎng)強(qiáng)度曲線,可采用調(diào)整磁鐵到靶材距離的方法微調(diào)該處磁場(chǎng)強(qiáng)度,確保磁場(chǎng)沿陰較橫向的一致性。
  
  2)陰較使用過(guò)程中應(yīng)嚴(yán)格控制冷卻水溫,并及時(shí)更換靶材,防止永磁體過(guò)熱,因其過(guò)熱不僅會(huì)導(dǎo)致磁場(chǎng)強(qiáng)度衰減,也會(huì)造成磁場(chǎng)不均現(xiàn)象。
  
  3鍍膜室真空度、溫度、干燥度控制
  
  3.1恒定的真空度
  
 ?。保└鶕?jù)工藝氣體流量,對(duì)分子泵抽速、數(shù)量配置和安裝位置進(jìn)行合理配置。
  
 ?。玻┩晟瓶煽康那皇颐芊?,所有的動(dòng)密封如傳動(dòng)站、翻版閥等處均采用磁流體密封,蓋板和腔室之間采用壓差密封,即對(duì)兩道密封圈之間的空間抽真空,從而提高大型密封面的密封效果。
  
  3)進(jìn)出片過(guò)渡室內(nèi)部各布置2~3套阻流器,減少閥開(kāi)啟閉合對(duì)鍍膜室內(nèi)真空度的擾動(dòng)。
  
 ?。常矞囟瓤刂?br />  
  陰較及鍍膜室腔體通軟化水冷卻,并對(duì)進(jìn)出水的溫度和流量進(jìn)行監(jiān)控。
  
 ?。常掣稍锒瓤刂?br />  
 ?。保?a target='_blank' class="blue" title="玻璃" >玻璃清洗完畢后應(yīng)確保干燥充分。
  
 ?。玻┥a(chǎn)線旁應(yīng)布置干燥壓縮空氣(CDA)儲(chǔ)氣罐,在空氣濕度大的時(shí)候,進(jìn)出片室在充氣時(shí)可選擇接通CDA,以減少進(jìn)入腔室內(nèi)的水蒸氣分子。
  
  3)在鍍膜室入口處設(shè)置低溫冷阱,用于捕獲進(jìn)入腔室內(nèi)的水蒸氣分子。

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