硅碳棒在氧化氣氛中使用會逐漸氧化生成二氧化硅，隨之電阻逐漸增加導(dǎo)致硅碳棒老化，此外也與材料老化性能有關(guān)。氧化反應(yīng)方程式如下：SiC+2O2 → SiO2+CO2    碳化硅在空氣中與氧氣（O2）反應(yīng)，隨著二氧化硅（SiO2）數(shù)量的增加，硅碳棒表面逐步氧化，引起阻值加大。當(dāng)溫度達到800℃時出現(xiàn)氧化反應(yīng)，溫度越高反應(yīng)越快。這種氧化過程在硅碳棒的使用初期硅碳棒表面未能形成致密的氧化膜，氧化反應(yīng)較快，電阻增加尤為顯著，隨著反應(yīng)的進行，當(dāng)在硅碳棒表面形成致密的氧化膜以后，進入電阻穩(wěn)定區(qū)。之后隨著時間的增加，導(dǎo)電層逐漸減少，絕緣層逐漸增加，硅碳棒的內(nèi)部產(chǎn)生局部過熱，電阻快速增加。一般情況下當(dāng)阻值達到初始阻值的約3倍時，硅碳棒的壽命達到較限（而螺旋棒卻不同，要達到其初始阻值的約1.7倍）。這是因為當(dāng)阻值增加到其3倍時，每根棒發(fā)熱分布不均勻，從而導(dǎo)致爐內(nèi)溫度分布不均勻。當(dāng)硅碳棒壽命將盡時，不但阻值會增加而且會因氣孔率的變化、強度變化等原因發(fā)生斷棒事件。 ① 硅碳棒溫度越高壽命越短。特別是在爐膛溫度超過1400℃以后，氧化速度加快，硅碳棒的使用壽命變短，所以請盡量不要讓硅碳棒表面溫度過高，即有必要縮小爐膛溫度與硅碳棒溫度之差。②表面負(fù)荷密度指棒的發(fā)熱部單位表面積所允許承載的額定功率。 表面負(fù)荷密度=額定功率（W）/ 發(fā)熱部表面積（cm2）     實踐證明：負(fù)荷密度大則發(fā)熱體表面溫度與爐膛溫度之差也大。負(fù)荷密度大則棒體表面溫度高，電阻增長快，SIC棒的壽命短。因此，硅碳棒表面溫度負(fù)荷密度、爐內(nèi)氣氛、溫度與SIC棒老化速度成正比，與SIC棒的壽命成反比。   爐膛溫度與表面負(fù)荷密度的關(guān)系     圖示的使用范圍曲線為表面負(fù)荷密度臨界線，實際情況下請保持臨界線的1/2—1/3的表面負(fù)荷。硅碳棒的額定值在冷端部已有標(biāo)注，此額定電流是在空氣中表面溫度為1000±50℃時測定的，此時表面負(fù)荷密度為15W/cm2左右。請注意如果按額定電壓、電流給硅碳棒通電將造成硅碳棒超負(fù)荷。③ 在燒成中與處理物揮發(fā)出來的各種化學(xué)物質(zhì)之間的反應(yīng)也同樣需要注意。在實際高溫使用過程中，硅碳棒如果與水、氫、氮、硫、鹵素等氣體及熔融的鋁、堿、鹽、熔融金屬、金屬氧化物接觸的話，也會發(fā)生反應(yīng)、腐蝕或氧化現(xiàn)象。④ 電氣爐晝夜連續(xù)運轉(zhuǎn)與間斷運轉(zhuǎn)相比，前者的壽命較長。硅碳棒在使用中表面氧化生成二氧化硅皮膜。長時間使用使二氧化硅皮膜增加，硅碳棒阻值也隨之增加。此二氧化硅皮膜在結(jié)晶臨界點（270℃）附近發(fā)生異常膨脹、收縮。因間斷使用總在此溫度上下浮動，所以反復(fù)破壞皮膜、加速氧化。所以停電爐溫降至室溫時經(jīng)常急劇增加電阻。⑤ 如果硅碳棒阻值不同，串聯(lián)時電阻高的硅碳棒負(fù)荷較集中，易導(dǎo)致某一根硅碳棒的電阻快速增加，壽命變短。宏遠硅碳棒一般是串、并聯(lián)接線結(jié)合使用。建議采用2根串聯(lián)為一組后多組并聯(lián)。特別當(dāng)爐內(nèi)溫度超過1350℃時必須并聯(lián)。三相接線時建議使用公開三角形接線。    硅碳棒的壽命還因 ① 使用溫度 ②表面負(fù)荷密度 ③ 爐內(nèi)處理物的氣氛及材料 ④ 爐子運行方式 ⑤ 接線方法的不同而有所不同。