硅碳棒在氧化氣氛中使用會逐漸氧化生成二氧化硅，隨之電阻逐漸增加導致硅碳棒老化，此外也與材料老化性能有關。氧化反應方程式如下：SiC+2O2 → SiO2+CO2?碳化硅在空氣中與氧氣（O2）反應，隨著二氧化硅（SiO2）數(shù)量的增加，硅碳棒表面逐步氧化，引起阻值加大。當溫度達到800℃時出現(xiàn)氧化反應，溫度越高反應越快。這種氧化過程在硅碳棒的使用初期硅碳棒表面未能形成致密的氧化膜，氧化反應較快，電阻增加尤為顯著，隨著反應的進行，當在硅碳棒表面形成致密的氧化膜以后，進入電阻穩(wěn)定區(qū)。之后隨著時間的增加，導電層逐漸減少，絕緣層逐漸增加，硅碳棒的內(nèi)部產(chǎn)生局部過熱，電阻快速增加。一般情況下當阻值達到初始阻值的約3倍時，硅碳棒的壽命達到較限（而螺旋棒卻不同，要達到其初始阻值的約1.7倍）。這是因為當阻值增加到其3倍時，每根棒發(fā)熱分布不均勻，從而導致爐內(nèi)溫度分布不均勻。當硅碳棒壽命將盡時，不但阻值會增加而且會因氣孔率的變化、強度變化等原因發(fā)生斷棒事件。