高純靶材主要用于對材料純度、穩(wěn)定性要求更高的領(lǐng)域，像集成電路、平板顯示器、太陽能電池、記錄媒體、智能玻璃等行業(yè)。在濺射靶材應(yīng)用領(lǐng)域中，半導(dǎo)體芯片對濺射靶材的要求是比較高的，要求靶材純度很高，一般在5N（99.999%）以上。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對濺射靶材和濺射薄膜的品質(zhì)要求非常高，隨著更大尺寸的硅晶圓片制造出來，相應(yīng)地要求濺射靶材也朝著大尺寸、高純度的方向發(fā)展，同時也對濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。半導(dǎo)體材料市場占比在 3%左右的濺射靶材。簡單地說，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，通過更換不同的靶材（如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。 我國磁控濺射靶材的需求量盡量保持穩(wěn)定增長，截止2018年我國磁控濺射靶材需求量達到45.37萬噸。未來我國磁控濺射靶材需求量未來將繼續(xù)保持增長，預(yù)計到2025年我國磁控濺射靶材需求量將達到70.48萬噸。濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高，一般要求如，尺寸、平整度、純度、各項雜質(zhì)含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制；較高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與籌備均勻性、異物（氧化物）含量與尺寸、導(dǎo)磁率、非常高密度與超細晶粒等等。磁控濺射鍍膜是一種新型的物理氣相鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。濺射靶材有金屬，合金，陶瓷化合物等。  什么是靶材，如何應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)？中國芯片究竟在哪個環(huán)節(jié)被美國“卡”了脖子？高純度濺射靶材主要應(yīng)用于電子元器件制造，2019年，我國芯片自給率僅為30%左右。根據(jù)有關(guān)部門的發(fā)展規(guī)劃，2025年，中國預(yù)計將芯片自給率提升到70%，這差不多是當下美國等芯片大國的平均水平。作為一個龐大且復(fù)雜的行業(yè)，芯片行業(yè)擁有一條超長的產(chǎn)業(yè)鏈。其整體可分為設(shè)計、制造、封裝、四大環(huán)節(jié)。除了在設(shè)計領(lǐng)域，國內(nèi)廠商擁有一定的打破能力，其他三個環(huán)節(jié)，尤其是在制造環(huán)節(jié)，國內(nèi)廠商的能力仍有較大的提升空間。 平板顯示鍍膜用濺射靶材主要品種有:鉬靶、鋁靶、鋁合金靶、鉻靶、 銅靶、銅合金靶、硅靶、鈦靶、鈮靶和氧化銦錫(ITO)靶材等。硅靶材作為應(yīng)用于手機玻璃蓋板的重要靶材產(chǎn)品,它的的研發(fā)情況、現(xiàn)在市場占有率、以及未來市場前景如何？從行業(yè)角度看,國內(nèi)靶材市場至少有十倍的***替代空間。靶材是半導(dǎo)體、顯示面板、異質(zhì)結(jié)光伏領(lǐng)域等的關(guān)鍵核心材料,存在工藝不可替代性。據(jù)測算2019年大部分國家靶材市場規(guī)模在160億美元左右,而國內(nèi)總需求占比超30%。太陽能方面，HJT電池成本構(gòu)成中,硅片占比接近50%;非硅材料成本構(gòu)成中,銀漿與靶材合計占比超過70%。2021年由于上游硅料供給受限以及虛擬商品價格波動,光伏產(chǎn)業(yè)鏈價格呈現(xiàn)短期非常態(tài),對于電池成本構(gòu)成因素的研究有較大擾動。 HJT電池的成本主要由硅片、漿料、靶材、設(shè)備折舊和其他構(gòu)成，成本占比分別為53%/25%/6%/5%/11%。目前HJT非硅成本占比約47%，而PERC電池非硅成本占比約43%，主要是HJT低溫銀漿、靶材、設(shè)備等非硅成本較高。目前HJT電池銀耗約為PERC的2倍多。PERC的銀漿通過高溫燒結(jié)固化，銀粉熔融在一起，容易形成導(dǎo)電通路。而HJT是低溫工藝，低溫銀漿的導(dǎo)電性能弱于高溫銀漿，因此需要提高銀的含量來提高導(dǎo)電性。未來HJT降本主要依靠硅耗減少、銀漿降本、靶材國產(chǎn)化、設(shè)備降本來實現(xiàn)。銀包銅技術(shù)有望大幅降本，柵線工藝優(yōu)化降低銀耗。銀包銅是在銅的表面包裹銀粉，低溫加工工藝使得銅作為導(dǎo)電材料，從而降低銀的使用量。一般低溫銀漿中銀含量約92%，8%為農(nóng)業(yè)生產(chǎn)體系物玻璃粉等，而銀包銅中銀、銅、農(nóng)業(yè)生產(chǎn)體系物的含量分別為41%/51%/8%，使得銀含量占比降低近一半。 靶材的生產(chǎn)制造具有一定的技術(shù)壁壘。由于靶材的質(zhì)量直接影響TCO薄膜的一致性和均勻性，因此靶材的純度、致密度和均勻性等要求較高，靶材的金屬純度要求達到99.995%以上，靶材的致密度對TCO薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能有顯著影響，靶材的成分、晶粒度直接影響薄膜的一致性和均勻性，因此靶材的材料和制造工藝具有一定的技術(shù)壁壘。靶材是TCO薄膜生產(chǎn)的核心材料。TCO薄膜生產(chǎn)主要采用ITO、SCOT、IWO、ICO四種靶材，濺射是制造TCO薄膜的主要工藝，利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過加速聚集，形成高速離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面的原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體稱為濺射靶材。TCO薄膜沉積主要采用PVD和RPD兩種技術(shù)，PVD技術(shù)以ITO、SCOT作為靶材，RPD以IWO、ICO作為靶材。