鍍膜靶材是用物理或化學(xué)的方法在靶材表面鍍層透明的電解質(zhì)膜，或鍍一層金屬膜，目的是改變靶材表面的反射和透射特性。而鍍膜的方法有真空鍍膜和光學(xué)鍍膜，真空鍍膜和光學(xué)鍍膜的區(qū)別是什么。在19世紀(jì)末，ITO薄膜的研究工作開始真實(shí)地發(fā)展了起來，當(dāng)時是在光電導(dǎo)的材料上獲得很薄的金屬薄膜。而關(guān)于透明導(dǎo)電材料的研究進(jìn)入一個新的時期，則是在第二次世界大戰(zhàn)期間，主要應(yīng)用于飛機(jī)的除冰窗戶玻璃。而在1950年，第二種透明半導(dǎo)體氧化物In2O3初次被制成，特別是在In2O3里摻入錫以后，使這種材料在透明導(dǎo)電薄膜方面得到了普遍的應(yīng)用，并具有廣闊的應(yīng)用前景。目前制備ITO薄膜的方法有很多種，如低電壓濺射、直流磁控濺射和HDAP法。將ITO玻璃進(jìn)行加工處理、經(jīng)過鍍膜形成電極。高純金屬靶材的業(yè)績增長主要取決于三個因素。根據(jù)整理的數(shù)據(jù)顯示，外業(yè)務(wù)收入502億，占半導(dǎo)體行業(yè)總營收1130億元的約44.48%。及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等。其中鋁靶、銅靶用于導(dǎo)電層薄膜，鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜，噴涂靶商。       靶材成本居高不下，是異質(zhì)結(jié)電池產(chǎn)業(yè)化過程中的一個大阻礙。由于HJT核心生產(chǎn)工藝僅四步，分別對應(yīng)4種專用設(shè)備：清洗制絨機(jī)、PECVD、PVD或者RPD、絲網(wǎng)印刷機(jī)。對比海內(nèi)外四大設(shè)備，海外設(shè)備較為成熟，但核心設(shè)備價格較高不具備量產(chǎn)經(jīng)濟(jì)性。目前海外清洗制絨機(jī)約1000萬元/臺（250MW），絲網(wǎng)印刷機(jī)約1200萬元/套（200MW），和國產(chǎn)設(shè)備價格基本一致，且性能基本相當(dāng)，不構(gòu)成產(chǎn)業(yè)化的障礙。PVD約3000萬/臺（250MW），國產(chǎn)設(shè)備在快速跟進(jìn)，本身壁壘不高，也不是產(chǎn)業(yè)化的障礙。HJT量產(chǎn)的關(guān)鍵點(diǎn)在于PECVD。2019年海外應(yīng)材和梅耶博格的PECVD價格接近5億元/GW，設(shè)備雖然成熟但價格太高，整線的設(shè)備投資達(dá)到7-8億元。噴涂靶話。       HIT電池主要使用ITO靶材作為其透明導(dǎo)電薄膜。HIT電池是在晶體硅上沉積非晶硅薄膜，其結(jié)構(gòu)是以N型單晶硅片作襯底，正反面依次沉積本征非晶硅薄膜、摻雜非晶硅薄膜、金屬氧化物導(dǎo)電層TCO，再通過絲網(wǎng)印刷制作正負(fù)電極，從而導(dǎo)出電流。比較成熟，成本占比不高，大約5%左右。HIT 薄膜電池帶動光伏靶材需求。目前國內(nèi)光伏電池主要以硅片涂覆型太陽能電池為主，薄膜電池以及HIT占比較低，但是未來增長潛力較大。2018年大部分國家薄膜電池量保持11%增長，預(yù)計(jì)未來維持10%以上；HIT有望保持高速增長，隨著國內(nèi)投資熱情高漲，產(chǎn)能有望從目前2GW增長至2024年的100GW以上。綜合測算，預(yù)計(jì)我國太陽能電池用靶材市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。CAGR保持在15%以上，到2024年，我國太陽能電池用靶材行業(yè)市場規(guī)模有望打破70億元。       在大規(guī)模集成電路制作工藝過程中，每150mm直徑硅片所能允許的微粒數(shù)必須小于30個。怎樣控制濺射靶材的晶粒，并提高其致密度以解決濺射過程中的微粒飛濺問題是濺射靶材的研發(fā)的關(guān)鍵。靶材濺射時，靶材中的原子容易沿著密排面方向優(yōu)先濺射出來，材料的結(jié)晶方向?qū)R射速率和濺射膜層的厚度均勻性影響較大，終影響下游產(chǎn)品的品質(zhì)和性能。需根據(jù)靶材的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，采用不同的成型方法，進(jìn)行反復(fù)的塑性變形、熱處理工藝加以控制。銦是中國在儲量上占據(jù)優(yōu)勢的資源。ITO靶材，制造的原料In是我國擁有的關(guān)鍵稀土銦，但由于不會加工，等日采購。顯示面板的上游更是日本企業(yè)壟斷。       是制備薄膜材料的主要技術(shù)，也是PVD的一種。它通過在PVD設(shè)備中用離子對目標(biāo)物進(jìn)行轟擊，使得靶材中的金屬原子以一定能量逸出，從而在晶圓表面沉積，濺鍍形成金屬薄膜，其中被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料。稱為濺射靶材。氮化物是在電子和光電子應(yīng)用方面有較大潛力的新型半導(dǎo)體材料,它在室溫下具有高電子遷移率和良好導(dǎo)電性的優(yōu)勢。是目前大部分國家半導(dǎo)體研究的****和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。它具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力。顯示行業(yè)主要在顯示面板和觸控屏面板兩個產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)節(jié)需要使用靶材濺射鍍膜。用于高清電視、筆記本電腦等。       光碟的膜層也是多層組成的，它在染料層上鍍上30nm厚的鐵鈷合金記錄層，里面混有非晶態(tài)稀土過渡元素，再鍍上20到100nm厚的氮化硅介質(zhì)層，鍍上鋁膜反射層。這些需要落得磁性能，能夠記錄數(shù)據(jù)的電子產(chǎn)品，要實(shí)現(xiàn)這些功能，還是要靠各種不同物質(zhì)所濺射而成的薄膜，來的晶體狀態(tài)排序來實(shí)現(xiàn)。一般會由金膜或銀膜替代。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展，集成化程度越來越高，單位面積單晶硅片集成器件數(shù)呈指數(shù)級增長，英寸（450mm）或者更高，國內(nèi)ITO導(dǎo)電膜產(chǎn)業(yè)，日本企業(yè)進(jìn)入該產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域較早，不僅具有上游原料優(yōu)勢，而且上下游供應(yīng)鏈維持良好，業(yè)處于大部分國家的領(lǐng)導(dǎo)地位。多晶硅的產(chǎn)能在高層度集中，目前進(jìn)入了競爭深水區(qū)。由于多晶硅的價格較低。每年我國還從國外***多晶硅10萬噸以上。按照目前的造價，多晶硅的***量進(jìn)一步下降。       蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備成膜速率快，膜層牢固，色澤鮮亮，膜層不易受污染，可獲得致密性好、純度高、膜厚均勻的膜層，不產(chǎn)生廢液、廢水，可避免對環(huán)境的污染，是大規(guī)模生產(chǎn)的理想設(shè)備。離子真空鍍膜機(jī)是當(dāng)今世界上用于表面涂裝PVD膜層的先進(jìn)專用設(shè)備,運(yùn)用PLC及觸摸屏實(shí)現(xiàn)自動化邏輯程序控制操作,設(shè)備結(jié)構(gòu)合理、外觀優(yōu)雅、性能穩(wěn)定、操作達(dá)到人機(jī)對話，簡便。塑膠鍍膜工藝變化詳細(xì)解析塑料材料用得越來越多，也大多用在建筑材料上，工業(yè)化的產(chǎn)品催生了更多真空鍍膜設(shè)備，雖然塑料可以在許多場合代替金屬，但顯而易見缺乏金屬的質(zhì)感，為此，需要采用一定的方法，在塑料表面鍍層金屬，一種方法是采用類似化學(xué)鍍和電鍍的方法。噴涂黃頁。